[发明专利]磁控溅射阴极和成膜装置无效
| 申请号： | 200980132949.4 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102131954A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 高桥明久;山田晋也;石桥晓;佐久间幸平 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该磁控溅射阴极包括：磁轭(10)；具有中央磁铁部(21)、周边磁铁部(22)、辅助磁铁部(23、23a、23b、25)和平行区域(S)的磁路(20)；和背衬板(30)，配置所述中央磁铁部(21)、所述周边磁铁部(22)和所述辅助磁铁部(23、23a、23b、25)，以使所述中央磁铁部(21)、所述周边磁铁部(22)和所述辅助磁铁部(23、23a、23b、25)的各前端部(31、32、33a、33b)的极性在相邻的磁铁部之间不同，自所述背衬板(30)的上方观测的磁场分布设定为，水平方向的磁通密度(B∥)以对应于所述中央磁铁部(21)的位置为界限，在第一区域为正值，在第二区域为负值。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 阴极 装置 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射阴极，其特征在于，包括：磁轭，具有表面和中央区域，且为平板状；磁路，具有在所述磁轭的所述中央区域直线状地配置的中央磁铁部、在所述中央磁铁部的周围配置的周边磁铁部和在所述中央磁铁部和所述周边磁铁部之间配置的辅助磁铁部，并具有所述中央磁铁部、所述周边磁铁部和所述辅助磁铁部相互平行的平行区域，并设置在所述磁轭的所述表面；和背衬板，与所述磁路重叠配置，配置所述中央磁铁部、所述周边磁铁部和所述辅助磁铁部，以使所述中央磁铁部、所述周边磁铁部和所述辅助磁铁部的各前端部的极性在相邻的磁铁部之间不同，在纵切所述平行区域中的所述中央磁铁部、所述周边磁铁部和所述辅助磁铁部的方向，即与所述中央磁铁部延伸的方向垂直的轴向上，从所述中央磁铁部向着所述周边磁铁部，自所述背衬板的上方观测的磁场分布被设定为，所述背衬板的平行面上的水平方向的磁通密度以对应于所述中央磁铁部的位置为界限，在第一区域为正值，在第二区域为负值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980132949.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
