[发明专利]四端子多结薄膜光伏装置和方法无效
申请号: | 200980133055.7 | 申请日: | 2009-08-27 |
公开(公告)号: | CN102132415A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 霍华德·W·H·李 | 申请(专利权)人: | 思阳公司 |
主分类号: | H01L31/0248 | 分类号: | H01L31/0248 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;张英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种多结光伏电池装置。该装置包括下电池和上电池,该上电池可操作性地连接至下电池。在一个具体实施方式中,下电池包括下玻璃基板材料,例如,透明玻璃。下电池还包括覆盖玻璃材料的由反射材料制成的下电极层。下电池包括覆盖下电极层的下吸收剂层。在一个具体实施方式中,吸收剂层由具有在Eg=0.7eV至1eV范围内的带隙能量的半导体材料制成,但是也可以是其它材料。在一个具体实施方式中,下电池包括覆盖下吸收剂层的下窗口层以及覆盖下窗口层的下透明导电氧化物层。上电池包括覆盖下透明导电氧化物层的p+型透明导体层。在一个优选的实施方式中,p+型透明导体层由穿过在至少从约700纳米至约630纳米波长范围内的电磁辐射并过滤在从约490纳米至约450纳米波长范围内的电磁辐射来表征。在一个具体实施方式中,上电池具有覆盖p+型透明导体层的上p型吸收剂层。在一个优选的实施方式中,由半导体材料制成的p型导体层具有在Eg=1.6eV至1.9eV范围内的带隙能量,但也可以是其它带隙能量。上电池还具有覆盖上p型吸收剂层的上n型窗口层、覆盖上n型窗口层的上透明导电氧化物层、以及覆盖上透明导电氧化物层的上玻璃材料。 | ||
搜索关键词: | 端子 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种多结光伏电池装置,包括:下电池,包括:下玻璃基板材料;由反射材料制成的下电极层,覆盖玻璃材料;下吸收剂层,覆盖所述下电极层,所述吸收剂层由具有在Eg=0.7eV至1eV范围内的带隙能量的半导体材料制成;下窗口层,覆盖所述下吸收剂层;下透明导电氧化物层,覆盖所述下窗口层;上电池,可操作性地连接至所述下电池,所述上电池包括:p+型透明导体层,覆盖所述下透明导电氧化物层,所述p+型透明导体层通过穿过在至少从约700纳米至约630纳米波长范围内的电磁辐射并过滤在从约490纳米至约450纳米波长范围内的电磁辐射来表征;上p型吸收剂层,覆盖所述p+型透明导体层,所述p型导体层由具有在Eg=1.6eV至1.9eV范围内的带隙能量的半导体材料制成;上n型窗口层,覆盖所述上p型吸收剂层;上透明导电氧化物层,覆盖所述上n型窗口层;以及上玻璃材料,覆盖所述上透明导电氧化物层。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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