[发明专利]用于连续测量硅岛高度的方法和装置无效
| 申请号： | 200980133069.9 | 申请日： | 2009-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102132124A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | Z·陆;S·L·金贝尔;R·H·菲尔克霍夫;J·C·侯泽 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/24 | 分类号： | G01B11/24;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在硅熔化过程中连续测量未熔多晶硅岛的高度和形状的方法。该方法包括将聚焦的亮光投射至硅岛以在硅岛上产生亮点。该方法还包括在熔化过程中通过跟踪亮点电子测定硅岛的高度和形状。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 连续 测量 高度 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种在硅熔化过程中连续测量未熔多晶硅岛的高度和形状的方法，所述方法包括：将聚焦的亮光投射到所述硅岛以在所述硅岛上产生亮点；和在所述熔化过程中通过跟踪所述亮点电子测定所述硅岛的高度和形状。
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