[发明专利]存储器件及其方法有效
| 申请号： | 200980133071.6 | 申请日： | 2009-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102132347A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | L·A·德拉克吕;S·I·雷明顿 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C5/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储阵列，其中该阵列的每个存储位单元(MC)包括电平移位器(112)。另外，每个存储位单元包括写端口(120)，其含有可以包括p型场效应晶体管(125、126)和n型场效应晶体管(121、123)的通栅。P型场效应晶体管和n型场效应晶体管的控制电极被连接在一起作为公共节点(WLB)的一部分。另外，p型场效应晶体管的电流电极和n型场效应晶体管的电流电极被连接在一起以形成共同节点(135、136)。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：包括多个存储位单元的存储阵列，所述多个存储位单元中的每个存储位单元包括：存储信息位的存储单元；以及电平移位器，包括：与所述存储单元耦接以在读操作期间接收表示存储于所述存储单元的所存储信息位的第一电压的第一节点；以及提供表示所存储信息位的第二电压的第二节点，其中所述第一电压的幅值不同于所述第二电压的幅值。
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