[发明专利]由InGaO3(ZnO)结晶相形成的氧化物半导体用溅射靶材及其制造方法有效
| 申请号： | 200980133158.3 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102131953A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 矢野公规;川岛浩和 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00;C04B35/453;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供含有In、Ga、Zn的氧化物半导体用溅射靶材及其制造方法，以及使用溅射靶材的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管的形成方法。其中溅射靶材由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结含有具有InGaO3(ZnO)所示同系结晶结构的化合物，且X射线衍射中2θ＝62～63度之间的峰为InGaO3(ZnO)的最大峰的3％以下。 | ||
| 搜索关键词： | ingao sub zno 结晶 相形 氧化物 半导体 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶材，其特征在于，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体含有具有InGaO3(ZnO)所示同系结晶结构的化合物，X射线衍射中2θ＝62～63度之间的峰为InGaO3(ZnO)的最大峰的3％以下。
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