[发明专利]荧光体转化发光二极管有效
| 申请号： | 200980133270.7 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102132428A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 史考特·魏斯特 | 申请（专利权）人： | 普瑞光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/52 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光源(30)及制造该光源的方法。该光源包含一晶粒(31)、一光转化元件(33)及一散射环(34)。该晶粒(31)发出第一波长光穿过该晶粒顶面及该晶粒的一或多个侧面，并且接合至一安装基板(32)。该光转化元件(33)将第一波长光转化成第二波长光，该光转化元件具有与该晶粒(31)顶面接合的底面。该光转化元件(33)具有侧向尺寸，使得晶粒四周存在一空间，该空间被基板(32)与该光转化元件(33)所界定。该散射环(34)设置于该空间内，使得一部分从该晶粒(31)侧面发射出来的光会散射进入该光转化元件(33)内。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 转化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种光源，其包含：一晶粒，其发出一第一波长光穿过该晶粒一顶面以及该晶粒的一或多个侧面，该晶粒接合至一安装基板的表面；一光转化元件，包含一层发光材料，其将该第一波长光转化成一第二波长的光，该光转化元件具有与该晶粒顶面接合的一底面，该光转化元件具有侧向尺寸，使得在该晶粒四周存在一空间，该空间由该基板与该光转化元件所界定；及一散射环，其围绕该晶粒侧面，并且设置在该空间内，使得一部分从该晶粒侧面发射出来的光会由该散射环散射进入该光转化元件内。
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