[发明专利]具有气隙的浅沟槽隔离结构、采用该浅沟槽隔离结构的互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 200980133383.7 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102138210A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 成洛昀 | 申请（专利权）人： | 科洛司科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有用于抑制CMOS图像传感器中产生的暗电流和串扰的气隙的浅沟槽隔离结构。根据本发明的浅沟槽隔离结构可以抑制从相邻像素注入的光子且抑制暗电流的产生，因此可以产生高质量的图像，而且因为在蚀刻内壁氧化物层以形成气隙的工艺中从光敏二极管的p型离子注入区域去除了外来杂质，所以光敏二极管的该区域具有均匀的掺杂分布，因此可以抑制电子向表面扩散而产生良好质量的图像。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 沟槽 隔离 结构 采用 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构，包括：沟槽，形成在衬底的无源区域上；内壁氧化物层，形成在所述沟槽上；衬里，形成在所述内壁氧化物层上；氧化物层，形成在所述衬里上，以填充所述沟槽；气隙，形成在所述沟槽和所述衬里之间；以及缓冲层，密封所述气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
