[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200980133425.7 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102150256A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 中野高宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/3205;H01L21/66;H01L23/52;H01L27/14;H01L31/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置(10)包括：半导体衬底(11)；内部电极(12A)以及内部电极(12B)，被设置在半导体衬底(11)的表面；第一贯穿电极(17A)，在厚度方向贯穿半导体衬底(11)而与内部电极(12A)电连接；以及第二贯穿电极(17B)，与内部电极(12B)电连接，内部电极(12B)的厚度比内部电极(12A)的厚度薄。第二贯穿电极(17B)可以贯穿内部电极(12B)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底；第一内部电极以及第二内部电极，被设置在所述衬底的第一主面；第一贯穿电极，在厚度方向贯穿所述衬底，并且与所述第一内部电极电连接；以及第二贯穿电极，与所述第二内部电极电连接，所述第二内部电极的厚度比所述第一内部电极的厚度薄。
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