[发明专利]表膜构件框体、表膜构件和表膜构件框体的使用方法有效
| 申请号： | 200980133492.9 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102132210A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 北岛慎太郎;栗山芳真 | 申请（专利权）人： | 旭化成电子材料株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供表膜构件框体、表膜构件和表膜构件框体的使用方法。在将表膜铺展并粘接在表膜构件框体上时框体不会变形，此外在将表膜构件粘贴在掩模上后，表膜构件框体自身也能追随掩模因自重而产生的挠曲。表膜构件框体为矩形，该表膜构件框体的应变度α为0.06％以下，下述通用式(1)所示的该表膜构件框体的各边的追随度β为3mm以上，该表膜构件框体的长边的追随度β为32mm以下，且框体的长边长度为1400mm～2100mm，并且该表膜构件框体的内侧面积为15000cm2以上。β＝(1/表膜构件的挠曲量)×厚度×宽度(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 构件 使用方法 | ||
【主权项】：
一种表膜构件框体，其为矩形，该表膜构件框体的应变度α为0.06％以下，下述通用式(1)所示的该表膜构件框体的各边的追随度β为3mm以上，该表膜构件框体的长边的追随度β为32mm以下，且框体的长边长度为1400mm～2100mm，并且该表膜构件框体的内侧面积为15000cm2以上。β＝(1/表膜构件的挠曲量)×厚度×宽度 (1)
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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