[发明专利]形成铝掺杂碳氮化物栅电极的方法

摘要

本申请描述了一种用于形成用于半导体器件的铝掺杂金属(钽或者钛)氮化碳栅电极的方法。该方法包括提供其上包含电介质层的衬底，并且在没有等离子体的情况下在电介质层上形成栅电极。通过沉积金属氮化碳膜并且将铝前驱物的原子层吸附在金属氮化碳膜上来形成栅极。沉积和吸附的步骤可以重复期望的次数，直到铝掺杂金属氮化碳栅电极具有期望的厚度。

主权项

一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供其上包含电介质层的衬底；以及通过下述步骤在没有等离子体的情况下在所述电介质层上形成铝掺杂金属氮化碳栅电极：通过将所述衬底暴露到金属氮化碳前驱物的气体脉冲来沉积金属氮化碳膜，所述金属氮化碳前驱物包括钽、钛或者其组合，通过将所述衬底暴露到铝前驱物的气体脉冲来将所述铝前驱物的原子层吸附在所述金属氮化碳膜上，其中在所述沉积和吸附过程中，所述衬底维持在高于所述金属氮化碳前驱物的热分解温度且低于所述铝前驱物的热分解温度的温度，并且以期望的次数重复所述沉积和吸附。