[发明专利]用于包括双沟道晶体管的SRAM单元的本体触点有效
| 申请号： | 200980133950.9 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102138211A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | F·维贝尔莱特 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L27/11;G11C11/412;H01L21/768;H01L29/10;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 静态RAM单元(250)可基于两个双沟道晶体管(200N、200P)和一个选择晶体管(200S)形成，其中，本体触点(body contact)可以伪栅极电极结构(205A)的形式横向置于该两双沟道晶体管之间，并且另一矩形接触(230)可连接栅极电极、源极区以及该本体触点，以建立通向该些晶体管的衬底区衬底区的导电路径。因此，与传统的本体触点相比，本发明可建立有效节省空间的组态，以显著增加静态RAM单元中的位密度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 包括 沟道 晶体管 sram 单元 本体 触点 | ||
【主权项】：
一种存储单元，包括：p型双沟道晶体管，包括形成于主动区上方的第一栅极电极；n型双沟道晶体管，包括形成于该主动区上方的第二栅极电极；伪栅极电极，形成于该主动区上方并横向置于该第一栅极电极结构与该第二栅极电极结构之间；层间介电材料，形成于该p型和n型双沟道晶体管的上方；以及接触元件，形成于该层间介电材料中，该接触元件至少连接该第一栅极电极、该第二栅极电极以及该伪栅极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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