[发明专利]可用作四极质量过滤器的二维径向喷射阱有效
| 申请号： | 200980133968.9 | 申请日： | 2009-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102138196A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杰·C·斯沃特兹 | 申请（专利权）人： | 萨莫芬尼根有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J49/00 | 分类号： | H01J49/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 由四个有孔电极构建二维径向喷射离子阱，每个电极具有朝向内部的双曲表面，每个所述电极与中心线间隔距离r，该距离r大于由双曲表面限定的双曲半径r0。这个几何形状产生了平衡对称捕获场，该平衡对称捕获场具有可忽略不计的八极场分量和较大的十二极或二十极场分量。在一个具体实施中，通过将过滤直流电压施加到电极，离子阱可选择地用作四极质量过滤器。 | ||
| 搜索关键词： | 用作 质量 过滤器 二维 径向 喷射 | ||
【主权项】：
一种二维离子阱质量分析仪，包括：四个拉长的棒电极，每个所述棒电极都具有朝向中心线、双曲半径为r0的双曲表面，以及贯穿所述电极的厚度的孔；所述四个棒电极与所述中心线间隔相等的距离r，其中，r大于所述双曲半径为r0；以及RF电压源，用于将RF捕获电压施加到所述棒电极，以产生将离子径向地限制在所述离子阱的内部的RF捕获场；以及直流电压源，用于将直流偏置施加到所述棒电极或施加到在所述棒电极的外部放置的一组轴向捕获电极，以产生将离子轴向地限制在所述离子阱的所述内部的电势阱。
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