[发明专利]电子器件及其制造方法有效
申请号: | 200980134041.7 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN102138216A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | J·范登布兰德;A·H·迪策尔;E·W·A·扬;H·利夫卡;E·德科姆佩内尔 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用科学研究会(TNO);皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 荷兰代*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种电子器件,其包括功能叠层(10)和通过绝缘粘结层(30)与所述功能叠层连接的覆盖层(50)。功能叠层(10)包括第一透明导电层(22)、第二导电层(24)和夹在所述第一和第二导电层之间的功能结构(26),所述功能结构包括至少一层。覆盖层(50)包括衬底(52)和至少第一导电结构(66,68),所述至少第一导电结构布置在粘结层(28)与衬底(52)之间的第一平面中。与第一平面(61)横向的第一和第二横向导电体(32,34)使第一和第二导电层(22,24)与第一和第二导电结构(66,68)在第一平面(61)中电互连。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电子器件,其包括功能叠层(10;110;210;310;410;510;610)和用绝缘粘结层(28;128;228;328;428;528;628)与所述功能叠层连接的覆盖层(50;150;250;350;450;550;650),该功能叠层包括第一透明导电层(22;122;222;322;422;522;622)、第二导电层(24;124;224;324;424;524;624)和夹在所述第一和第二导电层之间的功能结构(26;126;226;326;426;526;626),所述功能结构包括至少一层光学功能层,所述覆盖层(50;150;250;350;450;550;650)包括具有至少第一导电结构(66;166;266;366a;466a;566;666)的衬底(52;152;252;352;452;552;652),所述第一导电结构布置在所述粘结层(28;128;228;328;428;528;628)与衬底(52;152;252;352;452;552;652)之间的第一平面中,以及其中与第一平面(61;161;261;361;461;561;661)横向的第一横向导电体(32;132;232;332;432;532;632)将所述第一和第二导电层(22;122;222;322;422;522;622)之一与所述第一导电结构(66;166;266;366a;466a;566;666)电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的