[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 200980134153.2 | 申请日: | 2009-09-11 |
公开(公告)号: | CN102132409A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 内海胜喜;佐野光;藤本博昭;富田佳宏 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L23/12;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L31/02;H01L33/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 形成半导体元件(6)的贯通孔导体部上部(9’)及贯通孔导体部下部(9),使得贯通孔导体部上部(9’)与贯通孔导体部下部(9)的接合面的孔径(A)小于贯通孔导体部上部(9’)在半导体元件(6)一主面侧的孔径(B)、以及贯通孔导体部下部(9)在半导体元件(6)另一面侧的孔径(C),在贯通孔导体部上部(9’)的上表面形成电极部(3),并在电极部(3)的上表面形成突起部(4),利用粘接剂(8)将光学构件(7)以按压在该突起部(4)的状态固接在半导体元件(6)上。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体元件(6),该半导体元件(6)在一主面上形成有多个与突起部(4)相连接的第一电极部(3);以及保持构件(7、21),该保持构件(7、21)以覆盖所述突起部(4)和所述第一电极部(3)、且通过所述突起部(4)进行保持的状态与所述半导体元件(6)相接合,形成有多个贯穿所述半导体元件(6)的所述一主面与另一面之间而进行电连接的贯通孔导体部(9’、9),使所述贯通孔导体部(9’、9)的孔径从所述半导体元件(6)的内部侧朝所述一主面侧变大,所述多个第一电极部(3)分别通过所述贯通孔导体部(9’、9),与形成于所述半导体元件(6)的所述另一面的外部电极(12)电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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