[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200980134153.2 申请日: 2009-09-11
公开(公告)号: CN102132409A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 内海胜喜;佐野光;藤本博昭;富田佳宏 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H01L23/12;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L31/02;H01L33/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 形成半导体元件(6)的贯通孔导体部上部(9’)及贯通孔导体部下部(9),使得贯通孔导体部上部(9’)与贯通孔导体部下部(9)的接合面的孔径(A)小于贯通孔导体部上部(9’)在半导体元件(6)一主面侧的孔径(B)、以及贯通孔导体部下部(9)在半导体元件(6)另一面侧的孔径(C),在贯通孔导体部上部(9’)的上表面形成电极部(3),并在电极部(3)的上表面形成突起部(4),利用粘接剂(8)将光学构件(7)以按压在该突起部(4)的状态固接在半导体元件(6)上。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具有:半导体元件(6),该半导体元件(6)在一主面上形成有多个与突起部(4)相连接的第一电极部(3);以及保持构件(7、21),该保持构件(7、21)以覆盖所述突起部(4)和所述第一电极部(3)、且通过所述突起部(4)进行保持的状态与所述半导体元件(6)相接合,形成有多个贯穿所述半导体元件(6)的所述一主面与另一面之间而进行电连接的贯通孔导体部(9’、9),使所述贯通孔导体部(9’、9)的孔径从所述半导体元件(6)的内部侧朝所述一主面侧变大,所述多个第一电极部(3)分别通过所述贯通孔导体部(9’、9),与形成于所述半导体元件(6)的所述另一面的外部电极(12)电连接。
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