[发明专利]表面传感器有效

专利信息
申请号: 200980134246.5 申请日: 2009-09-01
公开(公告)号: CN102138147A 公开(公告)日: 2011-07-27
发明(设计)人: G·I·贝瑞德霍特;R·W·伯恩斯特因;N·W·克里斯蒂;A·纳塔斯;O·斯洛格达尔 申请(专利权)人: IDEX公司
主分类号: G06K9/00 分类号: G06K9/00;H01L21/768;H01L23/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 党建华
地址: 挪威福*** 国省代码: 挪威;NO
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摘要: 发明涉及一种用于测量表面上的结构的传感器,例如一种指纹传感器,包括在选定位置处用于耦接到手指表面的选定数量的传感器元件,其具有小于或类似于手指表面的结构尺寸的尺寸,以及处理单元,其包括耦接到所述传感器元件的用于提供所述手指表面处的阻抗测量的询问电极,所述处理单元安装到一衬底的一面上,且所述传感器元件位于所述衬底相对面上,所述衬底包括所述传感器元件和所述询问电极之间的贯穿第一导线,所述衬底由导体材料制成,例如硅,并且所述第一导线由从衬底将它们分离的绝缘电介质围绕的选定尺寸的贯穿衬底部分组成。
搜索关键词: 表面 传感器
【主权项】:
用于测量表面中结构的传感器,尤其是一种指纹传感器,包括,在选定位置处的选定数量的传感器元件,所述传感器元件用于耦接到表面,具有尺寸小于或类似于所述表面中结构的尺寸,以及处理单元,所述处理单元包括耦接到所述传感器元件的用于提供所述表面结构处阻抗测量的询问电极,所述处理单元安装在衬底的一面上,且所述传感器元件位于所述衬底的相对面上,所述衬底包括所述传感器元件和所述询问电极之间的贯穿第一导线,其中,所述衬底由半导体材料构成,例如硅,并且所述第一导线由绝缘材料围绕的选定尺寸的贯穿衬底部分构成,优选地所述绝缘材料为从衬底将它们分离的电介质。
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