[发明专利]量子点、制造量子点的方法以及使用量子点的方法无效
| 申请号： | 200980134490.1 | 申请日： | 2009-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102144279A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·史密斯;书明·聂;布莱德·A·凯尔道夫 | 申请（专利权）人： | 爱默蕾大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/10;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 武晶晶;郑霞 |
| 地址： | 美国佐*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方式提供了制造量子点的方法、量子点以及类似物。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 制造 方法 以及 使用 | ||
【主权项】：
一种制造量子点的方法，包括：a)将溶解于非配位溶剂中的两亲聚合物与第一前体混合，以产生羧酸酯前体；b)将所述羧酸酯前体与第二前体混合，以形成量子点核；c)将所述量子点核与选自由第三前体、第四前体及其组合组成的组的前体混合，以在所述量子点核上形成量子点盖从而形成量子点，其中所述量子点包括置于所述量子点的表面上的两亲聚合物层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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