[发明专利]狭缝阀门的控制有效
申请号: | 200980134684.1 | 申请日: | 2009-08-20 |
公开(公告)号: | CN102138199A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 松本隆之;栗田真一 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在此所揭露的实施例一般涉及利用一狭缝阀门以密封一处理腔室的方法。门一开始由针对处理腔室的开口下方的一位置上升至一升高位置。门接着扩大直到门上的O形环刚好与密封表面接触为止。接着,门再次扩大以使O形环压抵密封表面。门的扩大是通过将一气体流入门的内部容积而达成。通过控制门内所建立的压力,则门的扩大速度受到控制,以确保门温和地与密封表面接触,并接着压抵密封表面。因此,可防止门以过大的力量接触密封表面,而过大力量的接触会使处理腔室摇动,并产生可能会污染工艺的不期望微粒。 | ||
搜索关键词: | 狭缝 阀门 控制 | ||
【主权项】:
一种密封腔室的方法,该腔室耦接至狭缝阀组件,且该腔室具有开口,该开口的尺寸是允许基板通过其间,该方法包括:将狭缝阀组件主体内的狭缝阀门由第一位置朝第一方向而致动至第二位置,该狭缝阀门具有与其耦接的一或多个O形环,该狭缝阀组件主体具有由壁所界定出的内部容积,该狭缝阀组件主体具有延伸穿过该狭缝阀组件主体的开口,且该开口是与该腔室的该开口对准;将该狭缝阀门的至少一第一部分朝第二方向以第一时间周期(period of time)、第一距离以及介于约12mm/sec~约18mm/sec的第一速度致动,其中该第二方向实质垂直于该第一方向;侦测该一或多个O形环接触该些壁的内侧表面的时间;以及响应(in response to)该侦测步骤而将该狭缝阀门的该第一部分朝该第二方向以第二时间周期、第二距离以及第二速度致动,并使该第二距离小于该第一距离,该第二速度为约0.5mm/sec~约0.7mm/sec,且该第二时间周期小于该第一时间周期。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造