[发明专利]相变记忆材料有效
| 申请号： | 200980134692.6 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102138233A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | B·G·艾特肯;C·M·史密斯 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11B7/243 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述了相变记忆材料，更具体描述了适用于相变记忆应用，如光学和电子数据存储的碲化GeAs材料。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆 材料 | ||
【主权项】：
一种制品，其包含：a.包含具有至少一种六方相的组合物的晶化薄膜；或b.在晶化形式下能具有至少一种六方相的可晶化组合物。
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