[发明专利]用于等离子处理腔室的低倾斜度边缘环有效
| 申请号： | 200980135297.X | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102150478B | 公开（公告）日： | 2016-10-19 |
| 发明（设计）人： | 畅训·李;迈克尔·D·威尔沃思;焕·阮 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H05H1/34 | 分类号： | H05H1/34;H05H1/38;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于等离子处理腔室中的盖环的实施例。一个实施例中，用于等离子处理腔室中的盖环包括环形主体，所述环形主体由含钇(Y)材料制成。主体包括底面，所述底面具有内定位环与外定位环。内定位环比外定位环自主体延伸更远。主体包括内径壁，所述内径壁具有主要壁与次要壁，所述主要壁与次要壁由实质水平岸部分隔。主体还包括顶表面，所述顶表面具有外倾斜顶表面，所述外倾斜顶表面与内倾斜表面会合于尖端。内倾斜表面与垂直于主体的中线的线之间所界定的角度小于约70度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子 处理 倾斜度 边缘 | ||
【主权项】：
一种用于等离子处理腔室中的盖环，所述盖环包括：环形主体，所述环形主体由氧化钇(Y2O3)块所制成，所述环形主体包括：底面，所述底面具有内定位环与外定位环，所述内定位环比所述外定位环自所述环形主体延伸更远，所述内定位环具有内壁；内径壁，所述内径壁具有主要壁与次要壁，所述主要壁与次要壁由实质水平岸部所分隔，所述次要壁具有大于所述主要壁而小于所述内定位环的内壁的直径；及顶表面，所述顶表面具有实质水平内顶表面、外倾斜表面和内倾斜表面，其中所述实质水平内顶表面配置于所述实质水平岸部外侧与上方，所述外倾斜表面与内倾斜表面会合，所述内倾斜表面与垂直于所述环形主体的中线的线之间所界定的角度小于70度。
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