[发明专利]能量自给自足的氯硅烷加氢用的硫化床反应器、其应用及方法

摘要

本发明涉及以能量基本上自给自足地连续制备氯硅烷，特别是用于制备获取高纯硅的中间产品即三氯硅烷的装置、其应用及方法。

主权项

硫化床反应器，用于对式为HnSiCl4‑n且n＝0，1，2或3的较高的氯硅烷在硅存在的情况下连续加氢，特别是用于任选地在催化剂存在的情况下在25至55巴的压力和450至650℃的温度下通过基本上硅(A)、四氯化硅(B)、氢(C)以及任选的氯化氢气体和/或氯气(D)的反应来制备氯硅烷，该硫化床反应器(1)基于：‑反应器壳(1.1)，带有冷却或者加热该反应器用的外套(1.2)以及平行于反应器纵轴安排在反应器内部空间内的热交换单元(1.3)，其中该单元(1.2)和(1.3)可以流过气态介质(F)，而该介质(F)可以用燃烧气的热交换器(1.11)加热，‑含有氯硅烷或STC的原料流(B*)用的至少一个底侧入口(1.4)，‑由系列(C)和(D)组成的一个或多个气态原料用的至少一个入口(1.5)，‑颗粒状硅(A)用的至少一个入口(1.6)，其中颗粒状硅(A)中任选地掺入催化剂，和‑通过反应器头部、滤尘器(1.7)和冷凝器(1.8)引出和分离产品(G，H)。