[发明专利]分子元件及其制造方法、集成电路装置及其制造方法、三维集成电路装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200980135642.X | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102150274A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 松居惠理子 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/8234;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/10;H01L29/861;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 分子元件(10)被配置为通过功能分子(16)桥接源极电极(13)和漏极电极(14)之间的间隙(15)。功能分子(16)源于侧链到主链的共价键，侧链由具有介电常数各向异性和/或偶极矩并且因电场而发生取向变化的悬垂分子构成，主链由因悬垂分子的取向变化而发生结构变化并且电特性改变的共轭分子构成。通过栅极电极(17、18)向功能分子(16)的悬垂分子施加电场，使分子元件(10)充当二极管、晶体管或存储器。提供了这样的分子元件，其中通过控制施加的电场一个分子元件可以用作二极管、晶体管或存储器，并且提供了可以廉价地获得的具有必要功能的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 分子 元件 及其 制造 方法 集成电路 装置 三维集成电路 | ||
【主权项】：
一种分子元件，具有：功能分子，其中，由具有介电常数各向异性和/或偶极矩并且因电场而发生取向变化的悬垂分子构成的侧链共价键接到由因所述悬垂分子的所述取向变化而发生结构变化并且电特性改变的共轭分子构成的主链，源极电极和漏极电极，分别连接到所述功能分子的所述主链的一端和另一端，以及栅极电极，用于向所述悬垂分子施加用于控制的电场，以及通过施加到所述悬垂分子的电场而充当二极管、晶体管或存储器。
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