[发明专利]用于提高在基底上所加工材料均匀性的沉积装置和使用该装置的方法无效
| 申请号： | 200980135787.X | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102150237A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | Y·李;S·琼斯;V·肯尼拉;A·库马;J·德勒;K·尤南 | 申请（专利权）人： | 联合太阳能奥沃尼克有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 赵华伟 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 按照示范实施例提供在基底上均匀生成材料的沉积装置。沉积装置包括能量源、面向基底、相对基底有间隔关系的电极、和连接在电极的界面结构。界面结构被配置成从能量源电气连接能量通过并围绕界面结构到电极，用于当从能量源向界面结构供给能量时在电极和基底的预定区域之间形成基本均匀的电场。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 基底 加工 材料 均匀 沉积 装置 使用 方法 | ||
【主权项】：
用于在基底上均匀加工处理材料的沉积装置，该沉积装置包括：能量源；相对基底有面向、间隔关系的电极；和连接到电极的界面结构，界面结构被配置成从能量源电气连接能量通过并围绕界面结构到电极，用于当从能量源给界面结构供给能量时在电极和基底的预定区域之间形成基本均匀的电场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
