[发明专利]借助于预选中间体的高速薄膜沉积无效
| 申请号： | 200980135810.5 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102150236A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | S·奥维辛斯基 | 申请（专利权）人： | 奥维新斯基创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L31/042;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 刘博 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种薄膜材料在固定的或连续的基底上高速率沉积的方法和设备。该方法包括将预选的前体中间体输送至沉积室并且从中间体形成薄膜材料。中间体在沉积室外部形成并且包括诸如自由基这样的亚稳定的物类。中间体被预选为包括有助于低缺陷浓度的薄膜材料的形成的亚稳定的物类。通过形成低缺陷浓度的材料，沉积速率不受材料质量的影响，并且无先例的沉积速率被获得。在一个实施方式中，预选的前体中间体是SiH3。方法包括将预选的中间体与载气，优选与去活状态下的载气结合，其中载气引导预选的中间体的传输至用于沉积薄膜材料的基底。 | ||
| 搜索关键词： | 借助于 预选 中间体 高速 薄膜 沉积 | ||
【主权项】：
一种形成薄膜材料的方法，包括：提供沉积室，输送第一中间体至所述沉积室，所述第一中间体包括第一亚稳定的物类，所述第一中间体在所述沉积室的外部形成；以及在所述沉积室中形成第一薄膜材料，所述薄膜材料包括由所述第一亚稳定的物类提供的元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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