[发明专利]宽带离子束产生用的高密度螺旋等离子源有效
申请号: | 200980135989.4 | 申请日: | 2009-08-24 |
公开(公告)号: | CN102150239A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 科斯特尔·拜洛;艾力克斯恩德·S·培尔;杰·T·舒尔 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H05H1/34 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种利用一个或多个螺旋等离子源以产生高密度宽带离子束的离子源。除了螺旋等离子源之外,离子源还包括一扩散室。扩散室具有一与螺旋等离子源的介电圆柱体的轴向同方向配置的提取孔径。在一实施例中,双螺旋等离子源位于扩散室的相对两端,用以产生一更均匀地被提取的离子束。在另一实施例中,一个多尖端的磁场用以进一步改善被提取的离子束的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 宽带 离子束 产生 高密度 螺旋 离子源 | ||
【主权项】:
一种离子源,包括:a.一第一螺旋等离子源,包括:i.一第一介电圆柱体,具有第一中心轴,一第一封闭端以及一第一开放端;ii.一第一磁铁,环绕于该第一介电圆柱体,适于产生一磁场于该中心轴的方向上,并面对于该第一介电圆柱体的该开放端;以及iii.一第一天线,位于该第一介电圆柱体内并能产生螺旋波;b.一第二螺旋等离子源,包括:i.一第二介电圆柱体,具有第二中心轴,一第二封闭端以及一第二开放端;ii.一第二磁铁,环绕于该第二介电圆柱体,适于产生一磁场于该中心轴的方向上,并面对于该第二介电圆柱体的该开放端;以及iii.一第二天线,位于该第二介电圆柱体内并能产生螺旋波;c.一用来定义扩散室的腔体,包括第一端及第二端,其中该扩散室的第一端是与该第一介电圆柱体的该开放端相通,而该扩散室的第二端是与该第二介电圆柱体的该开放端相通,且一提取孔径具有一较第二尺寸长很多的尺寸,其中该较长的尺寸平行于该第一介电圆柱体的中心轴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造