[发明专利]用于高温化学场效应晶体管(ChemFET)废气传感器的适用于废气的保护层有效
| 申请号： | 200980136130.5 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102159941A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | T·瓦尔;O·沃尔斯特;A·马丁 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01N27/407 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曹若;梁冰 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 发明涉及用于制造传感器元件(1)的方法，这元件包括有至少一个敏感元器件(3)，在这方法中，将由无残留地可以热分解的材料制成的屏蔽层(31)涂覆在敏感元器件(3)上，其中敏感元器件(3)通过屏蔽层(31)基本上完全被遮盖住，在屏蔽层(31)上涂覆由一种热稳定材料制成的保护层(33)，并且通过热解作用或者一种低温传导的氧等离子体去除屏蔽层(31)发明此外还涉及一种传感器元件，它包括有至少一个敏感元器件(3)和由一种热稳定的材料制成的保护层(33)，其中敏感元器件(3)被由热稳定的材料制成的保护层(33)遮盖，其中敏感元器件(3)和保护层(33)相互有间距。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高温 化学 场效应 晶体管 chemfet 废气 传感器 适用于 保护层 | ||
【主权项】：
用于制造包括有至少一个敏感元器件(3)的传感器元件(1)的方法，有以下步骤：(a)将由无残留地可以热分解的材料制成的屏蔽层(31)涂覆在敏感元器件(3)上，其中敏感元器件(3)通过屏蔽层(31)基本完全被遮盖住，(b)在屏蔽层(31)上涂覆由热稳定材料制成的保护层(33)，(c)通过热解作用或者低温导引的氧等离子体去除屏蔽层(33)。
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