[发明专利]半导体装置

摘要

二极管(201)具备：栅极电极(2)；在栅极电极(2)上形成的栅极绝缘层(5)；在栅极绝缘层(5)上形成的具有第1区域(6a)、第2区域(7b)的至少1个半导体层(6、7)；在第1区域(6a)上设置的与第1区域(6a)和栅极电极(2)电连接的第1电极(10)；以及在第2区域(7b)上设置的与第2区域(7b)电连接的第2电极(12)，至少1个半导体层(6、7)具有隔着栅极绝缘层(5)与栅极电极(2)重叠的沟道区域(6c)和与栅极电极(2)不重叠的电阻区域(7d)，在二极管(201)的导通状态下，在第1电极(10)和第2电极(12)之间形成包含沟道区域(6c)和电阻区域(7d)的电流路径。

主权项

一种半导体装置，包含基板和在上述基板上形成的薄膜晶体管和二极管，上述二极管具备：栅极电极，其形成于基板上；栅极绝缘层，其形成于上述栅极电极上；至少1个半导体层，其形成于上述栅极绝缘层上，具有第1区域和第2区域；第1电极，其设置在上述第1区域上，与上述第1区域和上述栅极电极电连接；以及第2电极，其设置在上述第2区域上，与上述第2区域电连接，上述至少1个半导体层具有隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极重叠的沟道区域和隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极不重叠的电阻区域，在上述二极管的导通状态下，在上述第1电极和上述第2电极之间形成包含上述沟道区域和上述电阻区域的电流路径。