[发明专利]具有多个处理级与双轴机动升降机构的CVD反应器无效
| 申请号： | 200980136189.4 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102160147A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 理查德·O·柯林斯;尼欧·谬;凯文·J·鲍蒂斯塔;约翰·S·韦布;埃罗尔·C·桑切斯;宜乔·黄;凯拉什·基兰·帕塔雷;志远·周;威尔森·于 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭示一种用以处理基板的设备，包含处理腔室、基板支架、配置于腔室内的升降销组件。基板支架与升降销组件耦合至升降机构，其控制基板支架与升降销的定位并且使基板支架旋转。升降机构包括至少一感测器，其当基板支架与升降销间的空隙允许基板支架旋转时产生信号。能够同时轴向移动与旋转的基板支架可用于处理腔室，其包含由边缘环所分隔的多重处理区间。基板可由于在多重处理区间之间移动以供连续或循环处理。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 处理 机动 升降 机构 cvd 反应器 | ||
【主权项】：
一种处理半导体基板的处理腔室，包含：外壳，限定该处理腔室的内部容积；一或多个边缘环，沿该外壳配置，每一边缘环限定该处理腔室的该内部容积内至少一个处理区域的边界；基板支架，配置在该腔室的该内部容积中，且配置成在以平行该基板支架的中央轴线的方向移动时，绕该中心轴线旋转；以及气体导管，耦合至该处理腔室的每一处理区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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