[发明专利]具有加强的穿过基板一致性的包埋硅/锗材料的晶体管无效
| 申请号： | 200980136211.5 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102160159A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | R·马尔芬格;A·韦;J·亨奇尔;C·斯科特 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/04;H01L29/78;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在精密半导体装置中，以湿化学蚀刻形成凹槽，应变诱导半导体合金可被定位接近信道区域，对于不同结晶位向具有非等向性蚀刻作用。在一实施例中，可使用TMAH，除了非等向性蚀刻作用之外，对于二氧化硅具有高蚀刻选择性，因而使得非常薄的蚀刻停止层额外提供减少从信道区域偏移的可能性，而不会过度贡献至整体工艺变化性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 加强 穿过 一致性 包埋 材料 晶体管 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在包含硅的结晶半导体区域上方形成的晶体管的栅极电极结构的暴露表面区域上，形成介电蚀刻停止材料；进行湿化学蚀刻工艺，在相邻所述栅极电极结构的所述结晶半导体区域中形成凹槽，在所述结晶半导体区域的至少两种不同结晶位向中具有不同的移除速度；进行选择性磊晶成长工艺，至少在所述凹槽中形成应变诱导半导体合金；以及至少在一部份的所述应变诱导半导体合金中，形成汲极与源极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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