[发明专利]使用直接图案化的无针孔掩膜层制作太阳能电池的方法有效
申请号: | 200980136212.X | 申请日: | 2009-07-17 |
公开(公告)号: | CN102160192A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 彼得·卡曾斯;阮信晓 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于制作太阳能电池的方法。该方法包括首先提供在其上布置有电介质层的基板。然后在该电介质层之上形成无针孔掩膜层。最后,不使用掩膜,对该无针孔掩膜层进行图案化,以形成图案化的无针孔掩膜层。 | ||
搜索关键词: | 使用 直接 图案 针孔 掩膜层 制作 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制作太阳能电池的方法,包括:提供在其上布置有电介质层的基板;在所述电介质层之上形成无针孔掩膜层;在不使用掩膜的情况下,对所述无针孔掩膜层进行图案化,以形成图案化的无针孔掩膜层,其中在图案化期间,所述电介质层保护所述基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳能公司,未经太阳能公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980136212.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的