[发明专利]通过外延层过成长的元件形成有效
| 申请号： | 200980136547.1 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102160145A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·费兰札;安东尼·罗特费尔德;白杰;朴志洙;珍妮佛·海翠克;李继忠;陈志源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L31/042 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;刘文意 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于通过使用深宽比捕捉(ART)与外延侧向成长(ELO)技术在包括如晶格失配材料的基板上形成如太阳能电池的装置的方法与结构。一般地，在一第一方面中，本发明的实施例可包括一种形成结构的方法。该方法包括在设置于包括一第一半导体材料的一基板上方的一掩模层内形成一第一开口。在该第一开口内形成包括晶格失配于该第一半导体材料的一第二半导体材料的一第一膜层。该第一膜层具有足够延伸至高于该掩模层的一顶面的一厚度。在该第一膜层上以及该掩模层的至少一部分上方形成包括该第二半导体材料的一第二膜层。该第一膜层的垂直成长速率高于该第一膜层的一侧向成长速率，而该第二膜层的一侧向成长速率高于该第二膜层的一垂直成长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 外延 成长 元件 形成 | ||
【主权项】：
一种形成结构的方法，包括：在设置于一基板上的一掩模层中形成一第一开口，其中该基板包括一第一半导体材料；在该第一开口内形成包括晶格失配于该第一半导体材料的一第二半导体材料的一第一膜层，该第一膜层具有足够延伸至高于该掩模层的一顶面的一厚度；以及在该第一膜层之上以及该掩模层的至少一部分上形成包括该第二半导体材料的一第二膜层，其中该第一膜层的垂直成长速率高于该第一膜层的一侧向成长速率，而该第二膜层的一侧向成长速率高于该第二膜层的一垂直成长速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
