[发明专利]利用保护性侧壁钝化的磁性元件有效
| 申请号： | 200980136770.6 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102160204A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 升·H·康;杨赛森 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的示范性实施例是针对于包括用于与其它芯片上元件隔离的钝化层的磁性元件。一个实施例是针对于一种包含磁性隧道结(MTJ)元件的设备。所述MTJ元件包含：第一铁磁性层；第二铁磁性层；绝缘层，其安置于所述第一铁磁性层与第二铁磁性层之间；以及MTJ钝化层，其形成邻近于所述第一铁磁性层、所述第二铁磁性层和所述绝缘层而安置的保护性侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 保护性 侧壁 钝化 磁性 元件 | ||
【主权项】：
一种包含磁性隧道结(MTJ)元件的设备，其包含：第一铁磁性层；第二铁磁性层；绝缘层，其安置于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间；以及MTJ钝化层，其形成邻近于所述第一铁磁性层、所述第二铁磁性层和所述绝缘层而安置的保护性侧壁。
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