[发明专利]防反射膜的成膜方法、防反射膜和成膜装置无效
| 申请号： | 200980136858.8 | 申请日： | 2009-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102159971A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 高桥明久;石桥晓;山本治彦;柳坪秀典 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11;B32B7/02;B32B9/00;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的防反射膜的成膜方法为具有第一氧化铟类薄膜和层压在该第一氧化铟类薄膜上的第二氧化铟类薄膜的防反射膜的成膜方法，该方法包括：在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种的第一反应性气体中进行使用第一氧化铟类靶的溅射，从而形成第一氧化铟类薄膜的第一成膜工序；和在所述第一氧化铟类薄膜上，在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种且与所述第一反应性气体不同组成的第二反应性气体中进行使用第二氧化铟类靶的溅射，从而形成第二氧化铟类薄膜的第二成膜工序。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种防反射膜的成膜方法，为具有第一氧化铟类薄膜和层压在该第一氧化铟类薄膜上的第二氧化铟类薄膜的防反射膜的成膜方法，其特征在于，该方法包括：在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种的第一反应性气体中进行使用第一氧化铟类靶的溅射，从而形成第一氧化铟类薄膜的第一成膜工序；和在所述第一氧化铟类薄膜上，在含有选自氧气、氢气和水蒸气中的一种、两种或三种且与所述第一反应性气体不同组成的第二反应性气体中进行使用第二氧化铟类靶的溅射，从而形成第二氧化铟类薄膜的第二成膜工序。
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