[发明专利]自我诊断的半导体设备无效
| 申请号： | 200980137024.9 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102160164A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 马修·F·戴维斯;连雷;庄小亮;昆廷·E·沃克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明关于一种自我诊断的半导体设备。本发明提供了半导体处理设备的预测性维护的方法与装置。在部分实施例中，一种用于对半导体处理设备进行预测性维护的方法可以包括：在所述设备中未存在衬底的状态下，对所述半导体处理设备进行至少一个自我诊断测试。该自我诊断测试可以包括：从所述半导体处理设备测量一个或多个预测参数和一个或多个响应参数。可以利用预测性模型并根据所测量的预测参数计算一个或多个预期响应参数。可以将一个或多个所测量的响应参数与所述一个或多个预期响应参数相比较。可以根据所述比较来决定是否需要设备维护。 | ||
| 搜索关键词： | 自我 诊断 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种用于对半导体处理设备进行预测性维护的方法，其包括：在所述设备中未存在衬底的状态下，对所述半导体处理设备进行至少一个自我诊断测试，所述自我诊断测试包括：从所述半导体处理设备测量一个或多个预测参数和一个或多个响应参数；利用预测性模型并根据所测量的预测参数计算一个或多个预期响应参数；将一个或多个所测量的响应参数与所述一个或多个预期响应参数相比较；以及根据所述比较来决定是否需要设备维护。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
