[发明专利]无机体相多结材料及其制备方法

摘要

本发明揭示一种纳米结构的复合材料，该复合材料包含在晶体半导体基质中的半导体纳米晶体。合适的纳米晶体包括硅、锗和硅‑锗合金，以及铅盐如PbS、PbSe和PbTe。合适的晶体半导体基质材料包括Si和硅‑锗合金。本发明还揭示一种制备纳米结构的复合材料的方法。本发明还揭示包含纳米结构的复合材料的装置。

主权项

一种制备纳米晶体复合材料的方法，该方法包括以下步骤：a)在基材上形成预复合材料层，所述材料包含无定形半导体基质，在该基质中结合有半导体纳米晶体；和b)使步骤a)的材料处于结晶条件下，使得无定形半导体基质结晶，半导体纳米晶体表现出晶体结构特有的性质，从而形成纳米晶体复合材料。