[发明专利]使用顺序化工品施加对半导体衬底进行表面处理的方法和装置

摘要

一种用于在蚀刻后清洁操作过程中从衬底表面上形成的金属栅极结构周围除去聚合物残留的系统和方法，包括确定与该金属栅极结构和要除去的该聚合物残留相关联的多个工艺参数。多个制造层限定该金属栅极结构而该工艺参数限定该制造层和该聚合物残留的性质。确定第一清洁化学物质和第二清洁化学物质并根据该工艺参数确定与该第一和第二清洁化学物质相关联的多个施加参数。使用施加参数以受控方式顺序施加该第一和第二施加化学物质以基本上除去该聚合物残留，同时保留该栅极结构的结构完整性。

主权项

一种用于在蚀刻后清洁操作过程中从衬底表面上形成的金属栅极结构周围除去聚合物残留的方法，包含：确定与所述金属栅极结构和要被除去的所述聚合物残留相关的多个工艺参数，所述栅极结构包括一个或更多个制造层，所述工艺参数是通过分析金属栅极结构和所述聚合物残留获得的以确定所述栅极结构的一个或更多层以及要被除去的所述聚合物残留的性质；根据与所述栅极结构的所述一个或更多个层以及所述聚合物残留相关的所述多个工艺参数而确定第一和第二清洁化学物质；限定与所述第一和第二清洁化学物质相关的多个施加参数，建立所述施加参数以限定从所述衬底表面将所述聚合物残留的最佳除去；根据施加参数以受控方式将所述第一和第二清洁化学物质顺序施加至所述衬底表面的一部分，所述受控施加限定所述衬底表面的所述一部分暴露于所述第一和所述第二清洁化学物质的最佳暴露时间以便基本上除去所述聚合物残留，同时保留所述栅极结构的所述一个或更多个层的结构完整性。