[发明专利]具有凹槽的硅基底上的接合无效
| 申请号： | 200980137309.2 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102165574A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·门泽尔;格雷戈里·黛布拉班德;科琳娜·尼斯托利卡 | 申请（专利权）人： | 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L41/053 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种在硅基底上接合的方法及装置。装置包括具有膜表面的膜、膜表面上的凹槽、具有和膜表面基本平行的换能器表面的换能器、和将膜表面连接在换能器表面上的粘接剂。该凹槽可被设置为允许粘接剂流入且流经凹槽，而同时最小化可由凹槽的不完全填充引起的空洞或气隙。多个凹槽可被形成在膜表面上且具有一致的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹槽 基底 接合 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：具有膜表面的膜；形成在所述膜表面中的凹槽；具有被设置为和所述膜表面基本平行的换能器表面的换能器；将所述膜表面连接到所述换能器表面的粘接剂，所述粘接剂至少部分地填充所述凹槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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