[发明专利]对挖空特征垂直侧壁上的金属进行构图的方法、使用该方法形成嵌入式MIM电容器的方法以及由此产生的嵌入式存储器件

摘要

一种对挖空特征(130，330，830)的垂直侧壁(132，332，832)上的金属(141，341，841)进行构图的方法包括：在挖空特征中设置材料(350)，使得材料的一部分(435)暴露于所述材料上方的挖空特征中，使用第一湿法蚀刻化学试剂从所述垂直侧壁蚀刻掉所述金属的暴露部分；以及使用第二湿法蚀刻化学试剂通过蚀刻所述材料从所述挖空特征去除所述材料。可以使用所述方法制造适用于eDRAM器件的MIM电容器(800)。

主权项

一种嵌入式存储器件，包括：第一导电层；所述第一导电层上的第一电绝缘层；所述第一电绝缘层中的延伸到所述第一导电层的挖空特征；以及所述挖空特征中的MIM电容器，所述MIM电容器包括：位于所述挖空特征中的与所述第一导电层相邻且电连接到所述第一导电层的第二导电层；位于所述挖空特征中的在所述第二导电层内部的第二电绝缘层；以及位于所述挖空特征中的在所述第二电绝缘层内部的第三导电层，其中：所述第一导电层充当所述挖空特征的基底面，并且所述挖空特征还包括从所述基底面延伸开的侧壁；所述第二导电层覆盖所述基底面和所述侧壁的第一部分；以及所述第二电绝缘层覆盖所述第二导电层和所述侧壁的第二部分。