[发明专利]成膜装置和基板处理装置无效
申请号: | 200980137865.X | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN102165100A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 辻德彦;诸井政幸;柳谷健一;花田良幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/455;H01L21/285;H01L21/31 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开的成膜装置包括:基板输送机构,其设置在真空容器内,并具有队列装环绕输送多个基板载置部的环绕输送通路,该环绕输送通路具有直线状环绕输送该多个基板载置部的直线输送通路;在直线输送通路沿着输送基板载置部的输送方向配置的、对在直线输送通路上输送的多个基板载置部供给第一反应气体的第一反应气体供给部;沿着输送方向与第一反应气体供给部交替配置的、对在直线输送通路上输送的多个基板载置部供给第二反应气体的第二反应气体供给部;和在第一反应气体供给部和第二反应气体供给部之间供给分离气体的分离气体供给部。 | ||
搜索关键词: | 装置 处理 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其通过依次向基板的表面供给至少两种在真空容器内互相发生反应的反应气体且多次执行该供给循环,而多层层叠反应生成物的层,形成薄膜,该成膜装置的特征在于,包括:基板输送机构,其设置在真空容器内,具有队列状环绕输送多个基板载置部的环绕输送通路,该环绕输送通路具有直线状输送该多个基板载置部的直线输送通路;第一反应气体供给部,其构成为:在所述直线输送通路沿着输送所述基板载置部的输送方向配置,对在所述直线输送通路上输送的所述多个基板载置部供给第一反应气体;第二反应气体供给部,其构成为,沿着所述输送方向与所述第一反应气体供给部交替地配置,对在所述直线输送通路上输送的所述多个基板载置部供给第二反应气体;分离气体供给部,其构成为:在所述第一反应气体供给部和所述第二反应气体供给部之间供给分离气体,用于分离供给有所述第一反应气体的第一区域和供给有所述第二反应气体的第二区域;排气部,其以对所述真空容器内进行排气的方式构成;加热部,其以对所述基板载置部上的基板进行加热的方式构成;基板搬入部,其构成为,设置在所述直线输送通路的相对于所述输送方向的上游一侧,将基板搬入到所述多个基板载置部的各个上;和基板搬出部,其构成为,设置在所述直线输送通路的相对于所述输送方向的下游一侧,将所述基板从所述多个基板载置部的各个上搬出。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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