[发明专利]凹凸图案的形成方法及凹凸图案的制造装置无效
申请号: | 200980137975.6 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN102165558A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 稻宫隆人;甲斐田荣三 | 申请(专利权)人: | 株式会社普利司通 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02;B29K35/00;B29K83/00;B29L11/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供凹凸图案的形成方法,其为可用于制作电子器件、光学部件、记录介质等的纳米压印加工法,可以廉价且高速地制造这种具有微细图案的产品。所述凹凸图案的形成方法的特征在于包括如下工序:将具有微细凹凸图案的压模的该表面载置于光固化性转印片的转印层并按压来形成层叠体的工序;通过紫外线照射来使带有压模的层叠体的转印层固化、接着除去压模而得到转印层的表面具有微细反转凹凸图案的中间压模的工序;将中间压模的反转凹凸图案的表面载置于光固化性转印片的转印层并按压来形成层叠体的工序;以及通过紫外线照射来使带有中间压模的层叠体的转印层固化、接着除去中间压模而得到转印层的表面具有与压模相同的微细凹凸图案的光固化性转印片的工序。 | ||
搜索关键词: | 凹凸 图案 形成 方法 制造 装置 | ||
【主权项】:
一种凹凸图案的形成方法,其特征在于,包括下述工序(1)~(4):工序(1),将表面具有微细凹凸图案的压模的该表面载置于具有透明薄膜和透明薄膜上的光固化性转印层的光固化性转印片的该转印层,使得该压模的凹凸图案面与转印层的表面接触,并按压,从而形成转印层的表面沿凹凸图案表面密合的层叠体;工序(2),通过紫外线照射来使带有压模的层叠体的转印层固化,接着除去压模,由此得到转印层的表面具有微细反转凹凸图案的光固化性转印片、即中间压模;工序(3),将中间压模的微细反转凹凸图案的表面载置于具有透明薄膜和透明薄膜上的光固化性转印层的另一光固化性转印片的该转印层,使得该中间压模的反转凹凸图案面与转印层的表面接触,并按压,从而形成转印层的表面沿反转凹凸图案表面密合的层叠体;以及工序(4),通过紫外线照射来使带有中间压模的层叠体的转印层固化,接着除去中间压模,由此得到转印层的表面具有与压模相同的微细凹凸图案的光固化性转印片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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