[发明专利]光电转换器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980138104.6 | 申请日： | 2009-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102165600A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 宫入秀和;广桥拓也;下村明久 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光电转换器件包括位于第一电极与第二电极之间的一个或多个单元电池，其中半导体结通过按顺序堆叠以下层来形成：一种导电性类型的第一杂质半导体层；包含NH基或NH2基的本征非单晶半导体层；以及导电性类型与第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。在光入射侧上的单元电池的非单晶半导体层中，通过二次离子质谱法测得的氮浓度为5×1018/cm3或更高以及5×1020/cm3或更低，且通过二次离子质谱法测得的氧和碳的浓度低于5×1018/cm3。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换器件，包括：位于第一电极与第二电极之间的单元电池，所述单元电池包括按顺序堆叠从而形成半导体结的一种导电性类型的第一杂质半导体层、非单晶半导体层以及导电性类型与所述第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层，其中所述非单晶半导体层包含NH基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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