[发明专利]量子点光伏器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体光伏器件及其制造方法，其可以吸收宽波长范围的光，具备高的电子-空穴对分离性能，并且其光电转换效率高。更详细地，本发明所涉及的半导体光伏器件的制造方法包括如下步骤：a)在p型或n型半导体基板上部，在掺杂与所述半导体基板类型相同的杂质的介质内形成量子点，来形成半导体量子薄膜；b)通过部分蚀刻来形成贯通所述半导体量子点薄膜的气孔阵列；c)在形成了所述气孔阵列的半导体量子点薄膜上，沉积掺杂了与所述半导体基板互补的杂质的半导体；d)在所述掺杂了互补的杂质的半导体上，按顺序形成透明传导膜以及上部电极，在所述半导体基板下部形成下部电极。

主权项

一种光伏器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：a)在p型或n型半导体基板上部，在掺杂与所述半导体基板类型相同的杂质的介质内形成量子点，来形成半导体量子薄膜；b)通过部分蚀刻来形成贯通所述半导体量子点薄膜的气孔阵列；c)在形成了所述气孔阵列的半导体量子点薄膜上，沉积掺杂了与所述半导体基板互补的杂质的半导体；d)在所述掺杂了互补的杂质的半导体上，按顺序形成透明传导膜以及上部电极，在所述半导体基板下部形成下部电极。