[发明专利]电气电路的开关装置有效
| 申请号： | 200980138267.4 | 申请日： | 2009-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102165693A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 筱田祥宏;原雅人 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H01L27/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;郭凤麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 开关装置(10)具有内置了阻止反向电流的肖特基势垒二极管D3的主IGFET(11)、保护开关单元(12)以及保护开关控制单元(13)。保护开关单元(12)连接在主IGFET(11)的漏电极D和栅电极G之间。保护开关控制单元(13)在对主IGFET(11)施加了反向电压时接通保护开关单元(12)。由此，从反向电压来保护主IGFET(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 电气 电路 开关 装置 | ||
【主权项】：
一种电气电路的开关装置，其特征在于，具备：主绝缘栅场效应晶体管，其具有：第一导电型漏极区、配置在所述漏极区上且具有暴露面的第二导电型体区、形成在所述体区中且具有暴露面的第一导电型源极区、与所述漏极区欧姆接触的漏电极、与所述源极区欧姆接触且与所述体区肖特基接触的源电极、形成在所述源极区和所述漏极区之间的所述体区的暴露面上的栅极绝缘膜、以及隔着所述栅极绝缘膜与所述体区的暴露面对置的栅电极；保护开关单元，其具有与所述主绝缘栅场效应晶体管的所述漏电极连接的一端、与所述主绝缘栅场效应晶体管的所述栅电极连接的另一端以及控制端子；以及保护开关控制单元，其与所述保护开关单元的所述控制端子连接，且具有如下功能：当在所述漏电极和所述源电极之间施加使所述主绝缘栅场效应晶体管的所述肖特基接触反向偏置的方向的电压时，使所述保护开关单元成为接通状态。
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