[发明专利]用于形成钌金属覆盖层的方法有效
| 申请号： | 200980138541.8 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102165573A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 水野茂;弗兰克·M·切里奥;石坂忠大 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了用于将钌(Ru)金属沉积结合于半导体器件制造中以改善铜(Cu)金属中的电迁移和应力迁移的方法。本发明的实施例包括用NHx(x≤3)自由基和H自由基处理包括金属层和低k电介质材料的图案化衬底，以提高Ru金属层在金属层上相对于在低k电介质材料上的选择沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 金属 覆盖层 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成半导体器件的方法，其包括如下步骤：在等离子体处理室中的衬底支架上设置图案化衬底，所述图案化衬底包括形成于低k电介质材料中的凹入特征和位于所述凹入特征上的底部处的第一金属化层；用由包括NH3的第一处理气体在所述等离子体处理室中形成的NHx(x≤3)自由基和H自由基处理所述图案化衬底；在所述第一金属化层上形成第一钌(Ru)金属覆盖层；在所述凹入特征中、包括在所述低k电介质材料上和在所述第一Ru金属覆盖层上沉积阻挡层；和用铜(Cu)金属填充所述凹入特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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