[发明专利]通过煅烧由碳水化合物和硅氧化物制备高纯度碳化硅的方法无效
| 申请号： | 200980138555.X | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102164852A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | J·E·朗;H·劳勒德尔;E·米;A·卡尔 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C01B33/021;C04B35/565 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及通过在高温下硅氧化物与包含碳水化合物的碳源的反应而制备碳化硅的方法，特别涉及制备碳化硅或制备含碳化硅的组合物的技术方法。本发明还涉及高纯度碳化硅、包含该高纯度碳化硅的组合物、以及它们作为催化剂的用途、和用于制备电极及其它物品的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 煅烧 碳水化合物 氧化物 制备 纯度 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
制备碳化硅的方法，其通过在升高的温度下硅氧化物与包含至少一种碳水化合物的碳源的反应而进行。
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