[发明专利]氧化硅膜、氧化硅膜的形成方法及等离子体CVD装置无效
| 申请号： | 200980138647.8 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102171799A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 本多稔;中西敏雄;鸿野真之;宫原凖弥 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/31;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了形成由0.5％稀氢氟酸溶液蚀刻的蚀刻速率为0.11nm/秒以下的致密且绝缘性优良的高品质氧化硅膜(SiO2膜、SiON膜)，使用等离子体CVD装置，经由具有多个孔的平面天线向处理容器内导入微波并生成等离子体，将处理容器内的压力设定在0.1Pa以上6.7Pa以下的范围内，使用包含SiCl4气体或Si2H6气体和含氧气体的处理气体进行等离子体CVD。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 等离子体 cvd 装置 | ||
【主权项】：
一种氧化硅膜的形成方法，通过等离子体CVD法在基板上形成由0.5％稀氢氟酸溶液蚀刻的蚀刻速率为0.11nm/秒以下的氧化硅膜，其特征在于，包括以下各工序：在处理容器内配置上述基板，向上述处理容器内供给包含有含硅气体和含氧气体的处理气体，将上述处理容器内的压力设定在0.1Pa以上6.7Pa以下的范围内，经由具有多个孔的平面天线向上述处理容器内导入微波，生成上述处理气体的等离子体，利用该等离子体在上述基板上形成氧化硅膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980138647.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能化厕排气装置
- 下一篇：半导体基板、电子器件、以及半导体基板的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
