[发明专利]由二氧化硅制备太阳能级硅无效
| 申请号： | 200980138709.5 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102171141A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | H·劳勒德尔;E·米;M·希拉伊;P·纳格勒;B·弗林斯;I·伦特-里格;A·卡尔;C·潘茨;T·格罗特;G·斯托赫尼奥尔;M·罗施尼亚;J·E·朗;O·沃尔夫;R·施米茨;B·诺维茨基;D·韦威尔斯 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025;C01B31/36;C01B31/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备适合用作太阳能级硅的纯硅的完整方法，包括用一种或多种纯碳源还原硅氧化物，所述硅氧化物是通过从溶解在水相中的硅氧化物的水溶液中经酸沉淀被纯化的硅氧化物，所述纯化的硅氧化物特别是通过在酸化剂中沉淀溶解在水相中的硅氧化物获得。本发明还涉及一种含有活化剂的配制物、和生产硅的设备、反应器和电极。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 制备 太阳 能级 | ||
【主权项】：
纯硅制备方法，包括用一种或多种纯碳源还原通过从水溶液中沉淀纯化的硅氧化物，优选通过在酸化剂中沉淀溶解在水相中的硅氧化物纯化的硅氧化物，优选纯化的二氧化硅。
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