[发明专利]翻新双极静电卡盘的方法有效
| 申请号： | 200980138719.9 | 申请日： | 2009-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102171808A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 石洪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明的一方面，双极静电卡盘翻新处理无需物理分离所述静电卡盘的两个电极。本发明的一方面涉及处理双极静电卡盘的方法，所述双极静电卡盘具有前表面和后表面并包括设置在所述前表面上的第一电极、第二电极以及设置在所述前表面、所述第一电极和所述第二电极上的阳极氧化层。所述方法包括测量所述静电卡盘的第一参数；如果所述测量得的第一参数不在第一预定范围内，丢弃所述静电卡盘；如果所述测量得的第一参数在所述第一预定范围内，清洁所述静电卡盘，用密封剂密封所述前表面上的所述第一电极和所述第二电极之间的缝隙，而不使所述第一电极相对应于第二电极位移，消除所述氧化层；以及在所述前表面、所述第一电极和所述第二电极上设置新的阳极氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 翻新 静电 卡盘 方法 | ||
【主权项】：
处理双极静电卡盘的方法，所述双极静电卡盘具有前表面和后表面并包括设置在所述前表面上的第一电极、第二电极以及设置在所述前表面、所述第一电极和所述第二电极上的阳极氧化层，所述方法包括：测量所述静电卡盘的第一参数；如果所述测量得的第一参数不在第一预定范围内，丢弃所述静电卡盘；如果所述测量得的第一参数在所述第一预定范围内，清洁所述静电卡盘；用密封剂密封所述前表面上的所述第一电极和所述第二电极之间的缝隙，而不使所述第一电极相对应于第二电极位移；消除所述阳极氧化层；以及在所述前表面、所述第一电极和所述第二电极上设置新的阳极氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
