[发明专利]具有经处理表面的光伏电池及相关应用无效
申请号: | 200980139221.4 | 申请日: | 2009-08-12 |
公开(公告)号: | CN102171840A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 伯纳德·L·塞特 | 申请(专利权)人: | 葛瑞佛德太阳能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供减轻光生载子的重组损失的光伏电池及工艺。为降低重组损失,用减小金属触点与作用光伏(PV)元件之间的接触的电介质材料图案来涂覆所述作用PV元件中的扩散掺杂层。可利用各种图案,且可用一种或一种以上电介质来涂覆所述PV元件的一个或一个以上表面。可用经图案化的PV元件或单元电池来产生垂直多结光伏电池。尽管经图案化的PV元件可增加VMJ光伏电池的串联电阻,且图案化所述PV元件中的一个或一个以上表面可给用于产生VMJ光伏电池的工艺添加复杂性,但降低PV元件中的扩散掺杂层处的载子损失会提高光伏电池的效率,且因此提供超过增加的制造复杂性的PV操作优点。提供用以制作所述光伏电池的系统。 | ||
搜索关键词: | 具有 处理 表面 电池 相关 应用 | ||
【主权项】:
一种光伏电池,其包含:多个基于半导体的光伏(PV)元件的单片堆叠,其中所述多个基于半导体的PV元件中的每一元件包括P型扩散掺杂区或N型扩散掺杂区中的至少一者;经图案化的电介质涂层,其沉积于所述P型扩散掺杂区或所述N型扩散掺杂区中的至少一者上;及金属层,其位于所述多个基于半导体的PV元件中的元件中间的界面处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的