[发明专利]结构化柱电极无效
申请号: | 200980139512.3 | 申请日: | 2009-08-14 |
公开(公告)号: | CN102171836A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 南昌溶;查尔斯·T·布莱克;伊奥亚纳·R·格阿巴;乔纳森·爱德华·艾伦 | 申请(专利权)人: | 布鲁克哈文科学协会 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L51/44 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述一种包括分散在基底触点上的多个结构化柱的电极及其制造方法。在一个实施方式中,结构化柱是具有圆形横截面的柱状结构,并作为均匀隔开的二维阵列分散在基底表面上。优选地,结构化柱的高度、直径和间距是纳米级的,并且因此,将包括柱的电极识别为是纳米结构化柱电极。例如,可能通过使用标准光刻工艺沉积在表面模板中或者通过表面模板进行蚀刻来形成纳米结构化柱。当包含在光电装置(诸如光伏电池)中时,结构化柱电极提供许多优点。这些优点包括,通过载流子传送距离的减小和电极-光敏层界面的表面积的增加来提高电荷收集效率。这些改进有助于增加光伏装置的功率转换效率。 | ||
搜索关键词: | 结构 电极 | ||
【主权项】:
一种光电装置,包括:光敏层,具有异质结;以及至少一个电极,所述电极包括导电基底和延伸至所述光敏层中的多个导电柱,所述柱分散在所述基底的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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