[发明专利]使用介电外壳增强半导体装置的可靠性无效
| 申请号： | 200980139878.0 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102177575A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 约翰·J·H·雷什;迈克尔·E·约翰逊;盖伊·F·伯吉斯;安东尼·P·柯蒂斯;斯图尔特·利希滕塔尔 | 申请（专利权）人： | 弗利普芯片国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用介电外壳增强半导体装置的可靠性的方法和装置。所述方法和装置涉及提高将集成电路(IC)芯片连接到衬底的焊接接缝的可靠性。所述方法包括以下步骤：将可光成像永久介电材料层涂敷到半导体装置的上表面；以及使可光成像永久介电材料层图案化以在每一个部件上方具有开口。该方法还包括以下步骤：将助焊材料分配或丝网印刷到永久介电材料开口中；以及将不含有助焊剂的焊料涂敷到助焊材料的上表面。在一个或多个实施例中，该方法还包括以下步骤：将半导体装置加热到适于焊料进行回流的回流温度，从而使焊料顺应永久介电材料开口的侧壁以形成保护密封件。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 外壳 增强 半导体 装置 可靠性 | ||
【主权项】：
一种使用介电外壳增强半导体装置的可靠性的方法，所述方法包括以下步骤：将可光成像永久介电材料层涂敷到所述半导体装置的上表面；使所述可光成像永久介电材料层图案化，以在每一个部件上方都具有开口；将助焊材料分配或丝网印刷到所述永久介电材料的开口；将不含有助焊剂的焊料涂敷到所述助焊材料的上表面；以及将所述半导体装置加热到适于所述焊料进行回流的回流温度，从而使所述焊料顺应所述永久介电材料的开口的侧壁以形成保护密封件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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